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TF202THC-5-TL-H
TF202THC-5-TL-H
- 厂家:ON Semiconductor
- 封装:3-VTFP
- 批号:--
- 数量:电询
- 价格:0.333
- 类型:JFET(结点场效应)
- PDF:

TF202THC-5-TL-H
- 包装
带卷 (TR)
- 系列
-
- FET 类型
N 沟道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
-
- 漏源极电压 (Vdss)
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- 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)
210μA @ 5V
- 漏极电流 (Id) - 最大值
1mA
- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
200mV @ 1μA
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
3.5pF @ 5V
- 电阻 - RDS(开)
-
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
3-SMD,扁平引线
- 功率 - 最大值
100mW
- 产品简介说明
JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
- 产品描述备注