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您当前位置:首 页 >> 产品索引 >> SI4670DY-T1-E3

SI4670DY-T1-E3

  • 厂家:Vishay Siliconix
  • 封装:8-SOIC N
  • 批号:--
  • 数量:600 - 立即发货
  • 价格:询价
  • 类型:FET - 阵列
  • PDF:SI4670DY-T1-E3

SI4670DY-T1-E3

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 类型

    2 个 N 沟道(双)

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    25V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)

    8A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)

    23 毫欧 @ 7A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    2.2V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    18nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    680pF @ 13V

  • 功率 - 最大值

    2.8W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 产品简介说明

    MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

  • 产品描述备注

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