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SI3585DV-T1-GE3

  • 厂家:Vishay Siliconix
  • 封装:6-TSOP
  • 批号:--
  • 数量:740 - 立即发货
  • 价格:询价
  • 类型:FET - 阵列
  • PDF:SI3585DV-T1-GE3

SI3585DV-T1-GE3

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 类型

    N 和 P 沟道

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    20V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)

    2A,1.5A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)

    125 毫欧 @ 2.4A,4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    600mV @ 250μA (最小)

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    3.2nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    -

  • 功率 - 最大值

    830mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)

  • 产品简介说明

    MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

  • 产品描述备注

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