您当前位置:
首 页 >>
产品索引 >>
RN1303(TE85L,F)
RN1303(TE85L,F)
- 厂家:Toshiba Semiconductor and Storage
- 封装:USM
- 批号:--
- 数量:3,000 - 立即发货
- 价格:0.313
- 类型:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- PDF:
RN1303(TE85L,F)
- 包装
带卷 (TR) 可替代的包装
- 系列
-
- 晶体管类型
NPN - 预偏压
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
- 电阻器 - 基底 (R1) (Ω)
22k
- 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)
22k
- 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
70 @ 10mA,5V
- 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
300mV @ 250μA, 5mA
- 电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁
250MHz
- 功率 - 最大值
100mW
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
SC-70,SOT-323
- 产品简介说明
TRANSISTOR NPN USM
- 产品描述备注