您好，欢迎您来到欧立现代科技有限公司官方网站
服务热线：0755-23999932 / 0755-83222787 |帮助中心|设为首页| 加入收藏
您当前位置：首 页 >> 产品索引 >> PMBFJ112,215

PMBFJ112,215

  • 厂家：NXP Semiconductors
  • 封装：SOT23 (TO-236AB)
  • 批号：--
  • 数量：5,857 - 立即发货
  • 价格：询价
  • 类型：JFET（结点场效应）
  • PDF：PMBFJ112,215

PMBFJ112,215

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    N 沟道

  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)

    40V

  • 漏源极电压 (Vdss)

    40V

  • 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)

    5mA @ 15V

  • 漏极电流 (Id) - 最大值

    -

  • 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）

    5V @ 1μA

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    6pF @ 10V（VGS）

  • 电阻 - RDS（开）

    50 欧姆

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 功率 - 最大值

    300mW

  • 产品简介说明

    JFET N-CH 40V 300MW SOT23

  • 产品描述备注

特价专区

在线客服1
QQ在线客服