您好,欢迎您来到欧立现代科技有限公司官方网站
服务热线:0755-23999932 / 0755-83222787 |帮助中心|设为首页| 加入收藏
您当前位置:首 页 >> 产品索引 >> MMBFJ112

MMBFJ112

  • 厂家:Fairchild Semiconductor
  • 封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 批号:--
  • 数量:32,095 - 立即发货
  • 价格:询价
  • 类型:JFET(结点场效应)
  • PDF:MMBFJ112

MMBFJ112

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    N 沟道

  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)

    35V

  • 漏源极电压 (Vdss)

    -

  • 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)

    5mA @ 15V

  • 漏极电流 (Id) - 最大值

    -

  • 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)

    1V @ 1μA

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    -

  • 电阻 - RDS(开)

    50 欧姆

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 功率 - 最大值

    350mW

  • 产品简介说明

    JFET N-CH 35V 350MW SOT-23

  • 产品描述备注

特价专区