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MJD112T4

  • 厂家：ON Semiconductor
  • 封装：DPAK-3
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：晶体管（BJT） - 单路
  • PDF：MJD112T4

MJD112T4

  • 包装

    剪切带 （CT）

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN - 达林顿

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    2A

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    100V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    3V @ 40mA，4A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    20μA

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    1000 @ 2A，3V

  • 功率 - 最大值

    1.75W

  • 频率 - 跃迁

    25MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

  • 产品简介说明

    TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK

  • 产品描述备注

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