您好，欢迎您来到欧立现代科技有限公司官方网站
服务热线：0755-23999932 / 0755-83222787 |帮助中心|设为首页| 加入收藏
您当前位置：首 页 >> 产品索引 >> IXFN200N10P

IXFN200N10P

  • 厂家：IXYS
  • 封装：SOT-227B
  • 批号：--
  • 数量：118 - 立即发货
  • 价格：149.240
  • 类型：FET - 模块
  • PDF：IXFN200N10P

IXFN200N10P

  • 包装

    管件

  • 系列

    Polar??

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    100V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    200A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    7.5 毫欧 @ 500mA，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    5V @ 8mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    235nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    7600pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    680W

  • 安装类型

    底座安装

  • 封装/外壳

    SOT-227-4，miniBLOC

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

  • 产品描述备注

特价专区

在线客服1
QQ在线客服