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HN1B04FU-GR(L,F,T)

  • 厂家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封装：US6
  • 批号：--
  • 数量：5,545 - 立即发货
  • 价格：询价
  • 类型：晶体管（BJT） - 阵列
  • PDF：HN1B04FU-GR(L,F,T)

HN1B04FU-GR(L,F,T)

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN，PNP

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    150mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    50V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    250mV @ 10mA，100mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    200 @ 2mA，6V

  • 功率 - 最大值

    200mW

  • 频率 - 跃迁

    150MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 产品简介说明

    TRANSISTOR NPN/PNP US6

  • 产品描述备注

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