2N4119A

包装
散装
系列
-
FET 类型
N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
40V
漏源极电压 (Vdss)
-
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)
200μA @ 10V
漏极电流 (Id) - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
2V @ 1nA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
3pF @ 10V
电阻 - RDS（开）
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-206AF，TO-72-4 金属罐
功率 - 最大值
300mW
产品简介说明
MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF
产品描述备注

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