APTM10AM02FG

包装
散装
系列
-
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
标准
漏源极电压 (Vdss)
100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
495A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
2.5 毫欧 @ 200A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
4V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
1360nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
40000pF @ 25V
功率 - 最大值
1250W
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP6
产品简介说明
PWR MODULE MOSFET 100V 495A SP6
产品描述备注

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