CSD23201W10

包装
带卷（TR）
系列
NexFET??
FET 类型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)
12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
2.2A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
82 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
2.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
325pF @ 6V
功率 - 最大值
1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
4-UFBGA，DSBGA
产品简介说明
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
产品描述备注

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